Notice (8): file_put_contents(): Write of 270 bytes failed with errno=28 No space left on device [CORE/src/Log/Engine/FileLog.php, line 140]

Notice: file_put_contents() [function.file-put-contents]: Write of 1108 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/www.adminso.com/vendor/cakephp/cakephp/src/Log/Engine/FileLog.php on line 140
Notice (8): SplFileObject::fwrite() [<a href='https://secure.php.net/splfileobject.fwrite'>splfileobject.fwrite</a>]: Write of 822 bytes failed with errno=28 No space left on device [CORE/src/Cache/Engine/FileEngine.php, line 141]

Notice: file_put_contents() [function.file-put-contents]: Write of 3152 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/www.adminso.com/vendor/cakephp/cakephp/src/Log/Engine/FileLog.php on line 140
Notice (8): unserialize() [<a href='https://secure.php.net/function.unserialize'>function.unserialize</a>]: Error at offset 16368 of 16373 bytes [APP/Controller/NewsController.php, line 5571]

Notice: file_put_contents() [function.file-put-contents]: Write of 2398 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/www.adminso.com/vendor/cakephp/cakephp/src/Log/Engine/FileLog.php on line 140
Notice (8): unserialize() [<a href='https://secure.php.net/function.unserialize'>function.unserialize</a>]: Error at offset 4076 of 4085 bytes [APP/Controller/NewsController.php, line 5571]

Notice: file_put_contents() [function.file-put-contents]: Write of 2489 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/www.adminso.com/vendor/cakephp/cakephp/src/Log/Engine/FileLog.php on line 140
Notice (8): unserialize() [<a href='https://secure.php.net/function.unserialize'>function.unserialize</a>]: Error at offset 4076 of 4085 bytes [APP/Controller/NewsController.php, line 5571]

Notice: file_put_contents() [function.file-put-contents]: Write of 2489 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/www.adminso.com/vendor/cakephp/cakephp/src/Log/Engine/FileLog.php on line 140
三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片: 传输速度达1Gbps - 站长搜索
首页 > 资讯列表 > 科技资讯 >> 业界动态

三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片: 传输速度达1Gbps

业界动态 2017-06-15 11:31:11 转载来源: IThome

站搜网6月15日消息,三星电子今天宣布,已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片,该闪存芯片将用于服务器,PC和移动设备。三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD,64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片,数据传输速度达1Gbps,具有业界最短的500微秒(㎲)的烧录器烧录单个芯片的时间(tPROG),比典型的10纳米(nm)级的平面NAND闪存快约四倍,比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍

站搜网6月15日消息,三星电子今天宣布,已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片,该闪存芯片将用于服务器,PC和移动设备。

三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD,64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片,数据传输速度达1Gbps,具有业界最短的500微秒(㎲)的烧录器烧录单个芯片的时间(tPROG),比典型的10纳米(nm)级的平面NAND闪存快约四倍,比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

三星表示,与之前的48层256Gb V-NAND相比,新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外,64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压,与使用48层V-NAND的3.3伏相比,能量效率提高了约30%。此外,新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星还表示,基于其64层V-NAND的成功,三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列,以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。

标签: 三星 宣布 量产 64层 V-NAND 闪存 芯片 传输 速度


声明:本文内容来源自网络,文字、图片等素材版权属于原作者,平台转载素材出于传递更多信息,文章内容仅供参考与学习,切勿作为商业目的使用。如果侵害了您的合法权益,请您及时与我们联系,我们会在第一时间进行处理!我们尊重版权,也致力于保护版权,站搜网感谢您的分享!

站长搜索

http://www.adminso.com

Copyright @ 2007~2025 All Rights Reserved.

Powered By 站长搜索

打开手机扫描上面的二维码打开手机版


使用手机软件扫描微信二维码

关注我们可获取更多热点资讯

站长搜索目录系统技术支持