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10nm产能稳步提升，将发力8nm和6nm工艺 三星
据国外媒体phonearena报道，三星电子宣布其10纳米（nm）FinFET工艺技术的产能正在稳步提升。与此同时，还将发力8nm和6nm工艺技术的研发...
业界动态 2017-03-17 10:05:09 -
中芯国际今年开始研发7nm工艺 世界第五家
国内把半导体技术作为重点来抓，首先要突破的是3D NAND闪存，这方面主要是长江存储科技在做，而在芯片制造工艺方面，国内比Intel、三星、TSMC落后的更多，这方面追赶还得看SMIC中芯国际。日前中芯国际CEO邱慈云表态今年晚些时候会投资研发7nm工艺，不过他并没有给出国产7nm工艺问世时间，考虑到14nm工艺目标定在2018-2020年左右，估计国产的7nm工艺至少也得在2020年之后了...
业界动态 2017-03-16 14:20:08 -
DRAM合约价飙升 受三星18nm工艺芯片召回影响
业界消息指出，三星电子自2月中旬起，陆续召回部分序号的18纳米制程DRAM模组，原因在于这些18纳米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝屏。由于三星在全球PC DRAM市占过半，据传召回的DRAM模组数量达10万条，业界认为将导致3月DRAM缺货雪上加霜，合约价将再见飙涨走势...
业界动态 2017-03-06 17:50:08 -
Intel、三星7nm工艺受阻 遇到瓶颈了
站长搜索3月2日消息 虽然台积电号称自己很快将进入7nm工艺，甚至连5nm和3nm的工艺都已经在设计验证了，但是凡事还是要摆事实讲道理。作为半导体行业领头羊的三星和Intel均表示，7nm的阻碍前所未有的大，所需要的EUV（极紫外光刻）光刻机商用问题十分严重...
业界动态 2017-03-02 15:10:09 -
三星正在召回部分18nm工艺DRAM芯片 内存价格还要涨
三星最近因为各种各样的事情被搞得焦头烂额，先是最有可能成为机皇的Galaxy Note 7因为电池问题提前收场，随后管理层又出现重大变故。不过他们的霉运似乎还没结束，日前有消息称三星的DRAM产品也出现问题了，需要召回一批基于18nm工艺的DRAM芯片...
业界动态 2017-03-02 11:50:09 -
28nm可来内地 联电14nm FinFET工艺正式量产
TSMC台积电在28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先使得全球代工市场一家独大，TSMC自己占据了60%的份额，远超三星、GF格罗方德、UMC联电及大陆的SMIC中芯国际，昨天又公布了雄心勃勃的7nm及5nm计划。今年1月份UMC联电宣布自家的14nm FinFET工艺将在Q1季度量产，一个月的今天UMC又宣布14nm工艺已经为客户量产芯片...
业界动态 2017-02-24 17:45:12 -
已着手3nm工艺研发 台积电5nm工艺预计2019年试产
Intel此前在2017年投资者会议上宣称他们的半导体工艺依然领先对手3年时间，结果被人嘲讽为PPT制敌，因为三星、TSMC的10nm工艺已经开始量产了，Intel的10nm工艺要等到今年底才能问世。对TSMC台积电来说，他们的工艺之前确实落后Intel一两代，但在10nm节点开始弯道超车，未来的工艺发展速度更是（官方宣传中）超过了Intel，2018年打算量产7nm，而2019年则会试产5nm工艺，现在也着手研发更先进的3nm工艺了...
业界动态 2017-02-24 07:00:19 -
下代酷睿仍用14nm工艺，性能已等于三星10nm Intel
（公众号：雷锋网）消息：2月10日，英特尔在投资者会议上正式发布了第8代酷睿处理器，将于今年下半年亮相。遗憾的是，第8代酷睿处理器并没有采用传闻中的10nm工艺，而是依旧沿用14nm工艺，英特尔称之为“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”...
业界动态 2017-02-13 08:45:06 -
2020年冲击7nm制程大关 Intel计划开启42号晶圆厂
Kaby Lake已经顺利入市，Intel立即快马加鞭思考下一步行动的安排。回忆起今年CES上Intel曾展出了他们的10nm样片，感觉下一代产品就该采用新制程了，然而就当我们还以为芯片巨头要准备往10nm过渡的时候，Intel这周突然公开了他们对于42号晶圆厂的发展计划——这个新厂居然是为还没见着影子的7nm所准备的！42号晶圆厂位于美国亚利桑那州钱德勒市，最早于2011年开始建设，Intel在动工的时候就打算把它打造成世界上最先进的高产量芯片生产设施...
业界动态 2017-02-11 15:40:06 -
三星仍不成熟 台积电7nm工艺良率“健康”
Intel宣布投资70亿美元升级Fab 42工厂，3-4年后准备生产7nm工艺，拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上公布了自家的7nm工艺进展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工艺的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工艺的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性质，他们要等EUV光刻工艺成熟...
业界动态 2017-02-09 17:15:26 -
Intel宣布将试验生产7nm芯片 不能落后三星、ARM们
据外媒报道，英特尔日前在业绩电话会议上透露，为了进一步探索芯片生产工艺，公司将在今年建立一座7nm试验工厂。这座工厂虽然产能有限，但却为未来7nm芯片的生产奠定了基础...
业界动态 2017-01-31 14:40:11 -
今年第一季度开始量产 联电14nm FinFET工艺研发成功
凭借28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先，TMSC台积电这几年几乎垄断了全球晶圆代工业，2016年代工产值约为500亿美元，TSMC一家就占据60%的份额，远高于三星、GlobalFoundries及UMC联电。台湾地区之前有TSMC台积电、UMC台联电双雄，不过联电在28nm工艺之后不论营收还是工艺技术都已经大幅落后于TSMC，好在他们现在也开始量产14nm工艺了，官方表示联电的14nm工艺表现符合业界水准，良率也达到了客户要求...
业界动态 2017-01-24 11:15:09
