据路透社北京时间8月28日报道，三星电子在周一表示，预计将在未来三年投资70亿美元，扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能。三星在一份监管文件中称，在这70亿美元预期投资中，已有23亿美元在周一获得了管理委员会的批准
据路透社北京时间8月28日报道，三星电子在周一表示，预计将在未来三年投资70亿美元，扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能。
三星在一份监管文件中称，在这70亿美元预期投资中，已有23亿美元在周一获得了管理委员会的批准。
三星表示，这笔投资将由位于西安的子公司三星(中国)半导体有限公司实施。“这笔投资旨在满足中长期日益增长的NAND闪存芯片需求，”三星称。
今年7月初，当三星宣布在韩国投资186亿美元时，该公司表示将在西安的NAND闪存芯片工厂增加一条产品线，但没有指明投资金额。
三星发言人拒绝披露已批准或计划中的投资将会增加多少芯片产能。
市场研究公司IHS的最新数据显示，今年第二季度，三星占据了全球NAND闪存芯片营收的38.3%。
三星称，存储芯片市场的繁荣推动公司第二季度利润创下新高，这一趋势很可能会在第三季度延续下去。
中国正在设法培养自主存储芯片制造商，但是分析师称，中国制造商还需要发展几年时间才能与现有制造商相抗衡。
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