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10nm产能稳步提升，将发力8nm和6nm工艺 三星
据国外媒体phonearena报道，三星电子宣布其10纳米（nm）FinFET工艺技术的产能正在稳步提升。与此同时，还将发力8nm和6nm工艺技术的研发...
业界动态 2017-03-17 10:05:09 -
中芯国际今年开始研发7nm工艺 世界第五家
国内把半导体技术作为重点来抓，首先要突破的是3D NAND闪存，这方面主要是长江存储科技在做，而在芯片制造工艺方面，国内比Intel、三星、TSMC落后的更多，这方面追赶还得看SMIC中芯国际。日前中芯国际CEO邱慈云表态今年晚些时候会投资研发7nm工艺，不过他并没有给出国产7nm工艺问世时间，考虑到14nm工艺目标定在2018-2020年左右，估计国产的7nm工艺至少也得在2020年之后了...
业界动态 2017-03-16 14:20:08 -
DRAM合约价飙升 受三星18nm工艺芯片召回影响
业界消息指出，三星电子自2月中旬起，陆续召回部分序号的18纳米制程DRAM模组，原因在于这些18纳米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝屏。由于三星在全球PC DRAM市占过半，据传召回的DRAM模组数量达10万条，业界认为将导致3月DRAM缺货雪上加霜，合约价将再见飙涨走势...
业界动态 2017-03-06 17:50:08 -
Intel、三星7nm工艺受阻 遇到瓶颈了
站长搜索3月2日消息 虽然台积电号称自己很快将进入7nm工艺，甚至连5nm和3nm的工艺都已经在设计验证了，但是凡事还是要摆事实讲道理。作为半导体行业领头羊的三星和Intel均表示，7nm的阻碍前所未有的大，所需要的EUV（极紫外光刻）光刻机商用问题十分严重...
业界动态 2017-03-02 15:10:09 -
三星正在召回部分18nm工艺DRAM芯片 内存价格还要涨
三星最近因为各种各样的事情被搞得焦头烂额，先是最有可能成为机皇的Galaxy Note 7因为电池问题提前收场，随后管理层又出现重大变故。不过他们的霉运似乎还没结束，日前有消息称三星的DRAM产品也出现问题了，需要召回一批基于18nm工艺的DRAM芯片...
业界动态 2017-03-02 11:50:09 -
28nm可来内地 联电14nm FinFET工艺正式量产
TSMC台积电在28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先使得全球代工市场一家独大，TSMC自己占据了60%的份额，远超三星、GF格罗方德、UMC联电及大陆的SMIC中芯国际，昨天又公布了雄心勃勃的7nm及5nm计划。今年1月份UMC联电宣布自家的14nm FinFET工艺将在Q1季度量产，一个月的今天UMC又宣布14nm工艺已经为客户量产芯片...
业界动态 2017-02-24 17:45:12 -
已着手3nm工艺研发 台积电5nm工艺预计2019年试产
Intel此前在2017年投资者会议上宣称他们的半导体工艺依然领先对手3年时间，结果被人嘲讽为PPT制敌，因为三星、TSMC的10nm工艺已经开始量产了，Intel的10nm工艺要等到今年底才能问世。对TSMC台积电来说，他们的工艺之前确实落后Intel一两代，但在10nm节点开始弯道超车，未来的工艺发展速度更是（官方宣传中）超过了Intel，2018年打算量产7nm，而2019年则会试产5nm工艺，现在也着手研发更先进的3nm工艺了...
业界动态 2017-02-24 07:00:19 -
下代酷睿仍用14nm工艺，性能已等于三星10nm Intel
（公众号：雷锋网）消息：2月10日，英特尔在投资者会议上正式发布了第8代酷睿处理器，将于今年下半年亮相。遗憾的是，第8代酷睿处理器并没有采用传闻中的10nm工艺，而是依旧沿用14nm工艺，英特尔称之为“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”...
业界动态 2017-02-13 08:45:06 -
22纳米工艺 格罗方德12英寸晶圆厂落户成都
全球第二大晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)今天宣布，携手成都市政府，在成都高新区建立全新的合资晶圆制造厂，双方正式签约并举行开工仪式。2月10日，全球第二大晶圆代工厂格罗方德在成都投资的12英寸晶圆厂正式开动建设...
业界动态 2017-02-10 16:50:09 -
联想LTS工艺可降低35%碳排放，并免费推广 重大突破
困扰电子产品制造十几年的高热量、高能量、高二氧化碳排放量，三大难题终于有了突破。据外媒2月8日消息，联想正式公布了“新型低温锡膏(LTS)工艺”，将节省高达35%的碳排放，还能同时提高电脑可靠性...
业界动态 2017-02-10 01:00:11 -
三星仍不成熟 台积电7nm工艺良率“健康”
Intel宣布投资70亿美元升级Fab 42工厂，3-4年后准备生产7nm工艺，拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上公布了自家的7nm工艺进展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工艺的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工艺的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性质，他们要等EUV光刻工艺成熟...
业界动态 2017-02-09 17:15:26 -
今年第一季度开始量产 联电14nm FinFET工艺研发成功
凭借28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先，TMSC台积电这几年几乎垄断了全球晶圆代工业，2016年代工产值约为500亿美元，TSMC一家就占据60%的份额，远高于三星、GlobalFoundries及UMC联电。台湾地区之前有TSMC台积电、UMC台联电双雄，不过联电在28nm工艺之后不论营收还是工艺技术都已经大幅落后于TSMC，好在他们现在也开始量产14nm工艺了，官方表示联电的14nm工艺表现符合业界水准，良率也达到了客户要求...
业界动态 2017-01-24 11:15:09
