在今天台积电（TSMC）举办的2021年度在线技术研讨会上，分享了其芯片制造能力和极紫外（EUV）光刻技术进展等细节。目前台积电拥有全球一半的EUV光刻机，并负责全球一半以上采用先进工艺制造的芯片制造
在今天台积电（TSMC）举办的2021年度在线技术研讨会上，分享了其芯片制造能力和极紫外（EUV）光刻技术进展等细节。目前台积电拥有全球一半的EUV光刻机，并负责全球一半以上采用先进工艺制造的芯片制造。
据Wccftech报道，台积电介绍了采用先进工艺的产能将保持30%年复合增长率，包括了16nm、12nm、7nm和5nm工艺节点，其中5nm是现阶段台积电客户使用的最新技术。到今年年底，台积电的7nm工艺节点产能将比2018年提高四倍。而5nm工艺节点产能则计划比去年多一倍，到2023年则多四倍。这些计划针对的是7nm和5nm工艺节点及其改进型工艺，也就是包括4nm和6nm工艺，4nm会在今年第三季度开始风险量产。
台积电表示，7nm和6nm工艺的缺陷密度持平，但制造的时间会缩短，而5nm和4nm工艺的缺陷密度会比7nm和6nm工艺有所下降，4nm工艺的芯片尺寸将缩小4%。另外3nm工艺节点上，第一年的流片次数是5nm工艺的两倍多。Wccftech表示，台积电会在2nm工艺节点上引入纳米片晶体管，取代目前的FinFET结构，以更好地控制阈值电压。2nm工艺仍在研发阶段，如果一切顺利，将会在2023年试产。
台积电位于中国台湾台南的Fab 18晶圆厂将负责3nm工艺芯片的生产，目前还负责制造5nm工艺的产品，并会进一步扩充产能。台积电计划在新竹兴建一座新的晶圆厂，将被命名为Fab 20，负责2nm工艺的生产。
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