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进军3D NAND闪存领域 台积电欲收购东芝
站长搜索3月2日消息 东芝之为了弥补在美国核电领域投资失败产生的财务损失，确认在今年4月1日将闪存业务部门剥离并成立一个单独的公司。东芝还公布将这个公司的一大半出售给一个或者多个买家的计划...
业界动态 2017-03-02 16:45:04 -
闪存业务剥离 东芝旗下西屋电气拟申请破产
东芝在核电业务的扩张，遭遇重大打击，东芝进行了巨额资产减记。据外媒最新消息，为了避免美国核电业务更多经济损失，东芝准备让子公司“美国西屋电气”申请破产...
业界动态 2017-02-24 17:20:08 -
担忧易主影响供应 苹果拟竞购东芝闪存子公司
日本东芝公司计划对外转让旗下闪存业务子公司的控股权，这引发了外部公司的浓厚兴趣，据外媒最新消息，苹果、微软等科技巨头出现在了最新的竞购者名单中。之前，东芝已经把闪存业务分拆成为一家独立子公司，并且最初计划引入外部股东，外部股东大概将以30亿美元的代价，获得两成的股权...
业界动态 2017-02-23 14:15:24 -
多家公司争抢东芝闪存股权 富士康突然“杀入”
作为全球第二大闪存制造商，东芝准备转让该业务的两成股权。据外媒最新消息，代工巨头富士康集团也加入了股权竞购行列...
业界动态 2017-02-10 11:50:23 -
闪存业务最高报价36亿美元 东芝断尾求生
据外媒报道，据知情人士透露，东芝已接到针对其闪存业务19.9%股权的多份报价，报价范围在2000亿日元到4000亿日元（约合18亿美元到36亿美元）之间。知情人士称，东芝希望通过这项交易筹集大约3000亿日元的资金...
业界动态 2017-02-09 23:45:11 -
拯救母公司！东芝闪存子公司拟发优先股融资27亿美元
据共同社引述消息人士报道，日本东芝公司计划通过发行优先股的方式，融资27亿美元，摆脱美国核电资产减记带来的危机。之前，东芝已经决定将其优质资产闪存业务分拆为独立公司...
业界动态 2017-02-06 08:50:23 -
32层堆栈 中国明年将推自主生产3D NAND闪存
由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低...
业界动态 2016-10-19 14:10:31 -
西安是主产地 三星年底量产64层堆栈3D闪存
在前几天发布的初期财报数据中，三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境，但盈利同比增长6%，这次移动部门是没啥指望了，让三星大赚特赚的是半导体，不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加，导致市场供应吃紧进而涨价，三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存，64层堆栈，届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地...
业界动态 2016-10-10 13:00:15 -
苹果首推月费20美元2TB云存储 疑配合iPhone 7闪存扩容
站长搜索讯 9月7日，苹果将召开秋季新品发布会，推出全新一代手机iPhone 7。此前媒体纷纷报道，新手机的闪存容量将大幅提高...
业界动态 2016-08-31 17:25:04 -
首次采用3D TLC闪存 威刚发布SU800系列固态硬盘
站长搜索讯 8月26日消息，3D NAND闪存产品方面，东芝、三星先行一步，美光等厂商也相继投产，而现在，威刚也正式发布了旗下首款使用3D NAND闪存（TLC介质）的Ultimate SU800系列固态硬盘SSD。威刚SU800系列固态硬盘拥有128GB、256GB、512GB和1TB四种款式，采用慧荣SM2258主控...
业界动态 2016-08-26 15:00:27 -
三星已实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存 SSD拼容量
在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上，三星宣布了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体堆叠3D闪存）已经实现了64层晶粒（DIE）堆叠，存储密度再次突破新高，超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.。新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达100MB/S，三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品...
业界动态 2016-08-12 01:50:21 -
64层堆栈 东芝、西数宣布新BiCS 3D NAND闪存明年上市
三星在3D NAND闪存上量产时间最早，产能也是最高的，领先其他公司至少三年时间，其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代了，48层堆栈。东芝、西数此前宣布四日市的新工厂竣工，并且早就开始生产3D NAND闪存了，现在双方又公布了其3D NAND闪存的最新进展――64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样，比之前的48层堆栈更先进，预计2017年上半年正式量产...
业界动态 2016-07-28 11:40:30
