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  • 闪存业务剥离 东芝旗下西屋电气拟申请破产

    闪存业务剥离 东芝旗下西屋电气拟申请破产

    东芝在核电业务的扩张,遭遇重大打击,东芝进行了巨额资产减记。据外媒最新消息,为了避免美国核电业务更多经济损失,东芝准备让子公司“美国西屋电气”申请破产...

    业界动态 2017-02-24 17:20:08
  • 担忧易主影响供应 苹果拟竞购东芝闪存子公司

    担忧易主影响供应 苹果拟竞购东芝闪存子公司

    日本东芝公司计划对外转让旗下闪存业务子公司的控股权,这引发了外部公司的浓厚兴趣,据外媒最新消息,苹果、微软等科技巨头出现在了最新的竞购者名单中。之前,东芝已经把闪存业务分拆成为一家独立子公司,并且最初计划引入外部股东,外部股东大概将以30亿美元的代价,获得两成的股权...

    业界动态 2017-02-23 14:15:24
  • 多家公司争抢东芝闪存股权 富士康突然“杀入”

    多家公司争抢东芝闪存股权 富士康突然“杀入”

    作为全球第二大闪存制造商,东芝准备转让该业务的两成股权。据外媒最新消息,代工巨头富士康集团也加入了股权竞购行列...

    业界动态 2017-02-10 11:50:23
  • 闪存业务最高报价36亿美元 东芝断尾求生

    闪存业务最高报价36亿美元 东芝断尾求生

    据外媒报道,据知情人士透露,东芝已接到针对其闪存业务19.9%股权的多份报价,报价范围在2000亿日元到4000亿日元(约合18亿美元到36亿美元)之间。知情人士称,东芝希望通过这项交易筹集大约3000亿日元的资金...

    业界动态 2017-02-09 23:45:11
  • 拯救母公司!东芝闪存子公司拟发优先股融资27亿美元

    拯救母公司!东芝闪存子公司拟发优先股融资27亿美元

    据共同社引述消息人士报道,日本东芝公司计划通过发行优先股的方式,融资27亿美元,摆脱美国核电资产减记带来的危机。之前,东芝已经决定将其优质资产闪存业务分拆为独立公司...

    业界动态 2017-02-06 08:50:23
  • 32层堆栈 中国明年将推自主生产3D NAND闪存

    32层堆栈 中国明年将推自主生产3D NAND闪存

    由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导,预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低...

    业界动态 2016-10-19 14:10:31
  • 西安是主产地 三星年底量产64层堆栈3D闪存

    西安是主产地 三星年底量产64层堆栈3D闪存

    在前几天发布的初期财报数据中,三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境,但盈利同比增长6%,这次移动部门是没啥指望了,让三星大赚特赚的是半导体,不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加,导致市场供应吃紧进而涨价,三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存,64层堆栈,届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地...

    业界动态 2016-10-10 13:00:15
  • 苹果首推月费20美元2TB云存储 疑配合iPhone 7闪存扩容

    苹果首推月费20美元2TB云存储 疑配合iPhone 7闪存扩容

    站长搜索讯 9月7日,苹果将召开秋季新品发布会,推出全新一代手机iPhone 7。此前媒体纷纷报道,新手机的闪存容量将大幅提高...

    业界动态 2016-08-31 17:25:04
  • 首次采用3D TLC闪存 威刚发布SU800系列固态硬盘

    首次采用3D TLC闪存 威刚发布SU800系列固态硬盘

    站长搜索讯  8月26日消息,3D NAND闪存产品方面,东芝、三星先行一步,美光等厂商也相继投产,而现在,威刚也正式发布了旗下首款使用3D NAND闪存(TLC介质)的Ultimate SU800系列固态硬盘SSD。威刚SU800系列固态硬盘拥有128GB、256GB、512GB和1TB四种款式,采用慧荣SM2258主控...

    业界动态 2016-08-26 15:00:27
  • 三星已实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存 SSD拼容量

    三星已实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存 SSD拼容量

    在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.。新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb (64GB)的存储容量,单独晶粒数据传输速度可达100MB/S,三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品...

    业界动态 2016-08-12 01:50:21
  • 64层堆栈 东芝、西数宣布新BiCS 3D NAND闪存明年上市

    64层堆栈 东芝、西数宣布新BiCS 3D NAND闪存明年上市

    三星在3D NAND闪存上量产时间最早,产能也是最高的,领先其他公司至少三年时间,其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代了,48层堆栈。东芝、西数此前宣布四日市的新工厂竣工,并且早就开始生产3D NAND闪存了,现在双方又公布了其3D NAND闪存的最新进展――64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样,比之前的48层堆栈更先进,预计2017年上半年正式量产...

    业界动态 2016-07-28 11:40:30
  • 手机闪存越配越高 而东芝利用64层芯片把容量提高了三成

    手机闪存越配越高 而东芝利用64层芯片把容量提高了三成

    站长搜索讯 目前,越来越多的智能手机厂商,开始大幅度提高手机闪存的容量,市场对于闪存的需求和技术要求越来越高。据悉,日本东芝和韩国三星电子在闪存技术上存在激烈竞争,而东芝领先了一局,该公司即将大规模生产3D闪存...

    业界动态 2016-07-17 09:40:06

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